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Producto

NXH600B100H4Q2F2PG

MASS MARKET GEN3 Q2BOOST WITH PR

NXH600B100H4Q2F2PG
Modelo
NXH600B100H4Q2F2PG
Fabricante
onsemi
Categorías
Módulos IGBT
Encapsulación
Tray
RoHS
Cumple
Hoja de datos
Descargar

Especificaciones técnicas

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Chassis Mount
  • Paquete / Carcasa Module
  • 输入 Standard
  • Configuración Three Phase Inverter
  • Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Termistor NTC Yes
  • Corriente - Corte del Colector (Máx.) 10 µA
  • Tipo de IGBT Trench Field Stop
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 192 A
  • Potencia - Máx 511 W
  • Proveedor Dispositivo Paquete 44-PIM (93x47)
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1 kV
  • Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce 13256 pF @ 20 V

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