- Modelo
- NXH600B100H4Q2F2S1G
- Fabricante
- onsemi
- Categorías
- Módulos IGBT
- Encapsulación
- Tray
- RoHS
- Cumple
- Hoja de datos
- Descargar
Especificaciones técnicas
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Paquete / Carcasa Module
- 输入 Standard
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1000 V
- Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
- Termistor NTC Yes
- Tipo de IGBT Trench Field Stop
- Corriente - Corte del Colector (Máx.) 20 µA
- Configuración Three Level Inverter
- Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
- Proveedor Dispositivo Paquete 56-PIM (93x47)
- Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce 12687.7 pF @ 20 V
- Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 173 A
- Potencia - Máx 422 W
