Menú
Contacto
y solicitar cotización
Producto

NXH800H120L7QDSG

1200V 800A QDUAL3

NXH800H120L7QDSG
Modelo
NXH800H120L7QDSG
Fabricante
onsemi
Categorías
Módulos IGBT
Encapsulación
Tray
RoHS
Cumple
Hoja de datos
Descargar

Especificaciones técnicas

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Chassis Mount
  • Paquete / Carcasa Module
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1200 V
  • Configuración Half Bridge
  • 输入 Standard
  • Termistor NTC No
  • Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Corriente - Corte del Colector (Máx.) 100 µA
  • Tipo de IGBT Trench Field Stop
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 800 A
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 800A
  • Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce 94300 pF @ 25 V
  • Proveedor Dispositivo Paquete 11-PIM (152x62.15)

Escanea el código QR para seguir nuestra cuenta oficial de WeChat.

Código QR de WeChat
Cerrar la ventana emergente de WeChat