- Modelo
- RGTH00TK65GC11
- Fabricante
- ROHM Semiconductor
- Categorías
- IGBTs individuales
- Encapsulación
- Tube
- RoHS
- Cumple
Especificaciones técnicas
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- 输入类型 Standard
- Energía de Conmutación -
- Corriente - Colector Pulsada (Icm) 200 A
- Carga de Puerta 94 nC
- Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
- Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 35 A
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 650 V
- Tipo de IGBT Trench Field Stop
- Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-3PFM
- Condición de Prueba 400V, 50A, 10Ohm, 15V
- Paquete / Carcasa TO-3PFM, SC-93-3
- Td (encendido/apagado) @ 25°C 39ns/143ns
- Potencia - Máx 72 W