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Producto

RGTVX2TS65DGC11

IGBT TRENCH FS 650V 111A TO-247N

RGTVX2TS65DGC11
Modelo
RGTVX2TS65DGC11
Fabricante
ROHM Semiconductor
Categorías
IGBTs individuales
Encapsulación
Tube
RoHS
Cumple

Especificaciones técnicas

  • Tipo de Montaje Through Hole
  • Estado de la Pieza Not For New Designs
  • Paquete / Carcasa TO-247-3
  • 输入类型 Standard
  • Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Corriente - Colector Pulsada (Icm) 240 A
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 650 V
  • Tipo de IGBT Trench Field Stop
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 60A
  • Condición de Prueba 400V, 60A, 10Ohm, 15V
  • Carga de Puerta 123 nC
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 111 A
  • Proveedor Dispositivo Paquete TO-247N
  • Potencia - Máx 319 W
  • Energía de Conmutación 2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
  • Td (encendido/apagado) @ 25°C 49ns/150ns

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