- Modelo
- RGW40TK65DGVC11
- Fabricante
- ROHM Semiconductor
- Categorías
- IGBTs individuales
- Encapsulación
- Tube
- RoHS
- Cumple
Especificaciones técnicas
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- 输入类型 Standard
- Energía de Conmutación -
- Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
- Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 27 A
- Corriente - Colector Pulsada (Icm) 80 A
- Tiempo de Recuperación Inversa (trr) 92 ns
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 650 V
- Tipo de IGBT Trench Field Stop
- Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 20A
- Condición de Prueba 400V, 20A, 10Ohm, 15V
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-3PFM
- Paquete / Carcasa TO-3PFM, SC-93-3
- Carga de Puerta 59 nC
- Potencia - Máx 61 W
- Td (encendido/apagado) @ 25°C 33ns/76ns