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Producto

SNXH150B120H3Q2F2PG-N

GEN III Q2BOOST 1100V

SNXH150B120H3Q2F2PG-N
Modelo
SNXH150B120H3Q2F2PG-N
Fabricante
onsemi
Categorías
Módulos IGBT
Encapsulación
Tray
RoHS
Cumple
Hoja de datos
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Especificaciones técnicas

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Chassis Mount
  • Paquete / Carcasa Module
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1200 V
  • 输入 Standard
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 80 A
  • Termistor NTC Yes
  • Corriente - Corte del Colector (Máx.) 400 µA
  • Temperatura de Operación 175°C (TJ)
  • Configuración 3 Independent
  • Tipo de IGBT Trench Field Stop
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 80A
  • Potencia - Máx 279 W
  • Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce 19137 pF @ 20 V
  • Proveedor Dispositivo Paquete 35-PIM (93x47)

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