- Modelo
- SNXH800H120L7QDSG
- Fabricante
- onsemi
- Categorías
- Módulos IGBT
- Encapsulación
- Bulk
- RoHS
- Cumple
- Hoja de datos
- Descargar
Especificaciones técnicas
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Paquete / Carcasa Module
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1200 V
- Configuración Half Bridge
- 输入 Standard
- Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
- Termistor NTC Yes
- Corriente - Corte del Colector (Máx.) 100 µA
- Tipo de IGBT Trench Field Stop
- Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 800 A
- Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce 94300 pF @ 25 V
- Proveedor Dispositivo Paquete 11-PIM (152x62.15)
- Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 800A
