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Producto

STGD6M65DF2

IGBT TRENCH FS 650V 12A DPAK

STGD6M65DF2
Modelo
STGD6M65DF2
Fabricante
STMicroelectronics
Categorías
IGBTs individuales
Encapsulación
Cut Tape (CT)
RoHS
Cumple
Hoja de datos
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Especificaciones técnicas

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 输入类型 Standard
  • Proveedor Dispositivo Paquete DPAK
  • Paquete / Carcasa TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
  • Tiempo de Recuperación Inversa (trr) 140 ns
  • Corriente - Colector Pulsada (Icm) 24 A
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 12 A
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 650 V
  • Tipo de IGBT Trench Field Stop
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A
  • Potencia - Máx 88 W
  • Energía de Conmutación 36µJ (on), 200µJ (off)
  • Carga de Puerta 21.2 nC
  • Td (encendido/apagado) @ 25°C 15ns/90ns
  • Condición de Prueba 400V, 6A, 22Ohm, 15V

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