- Modelo
- STGSH50M120D
- Fabricante
- STMicroelectronics
- Categorías
- Matrices de IGBT
- Encapsulación
- Cut Tape (CT)
- RoHS
- Cumple
- Hoja de datos
- Descargar
Especificaciones técnicas
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo de IGBT -
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1200 V
- Configuración Half Bridge
- 输入 Standard
- Termistor NTC No
- Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 50A
- Corriente - Corte del Colector (Máx.) 25 µA
- Potencia - Máx 536 W
- Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 69 A
- Paquete / Carcasa 9-PowerSMD
- Proveedor Dispositivo Paquete 9-ACEPACK SMIT
- Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce 3152 pF @ 25 V
