STGSH80HB65DAG

Especificaciones técnicas

• Estado de la Pieza Active
• Tipo de Montaje Surface Mount
• Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
• Tipo de IGBT -
• Configuración Half Bridge
• 输入 Standard
• Termistor NTC No
• Potencia - Máx 250 W
• Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 650 V
• Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 83 A
• Paquete / Carcasa 9-PowerSMD
• Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 80A
• Proveedor Dispositivo Paquete 9-ACEPACK SMIT
• Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce 10450 pF @ 25 V